История открытия p-n перехода в физике

Естественные науки

Даже юный техник знает, что любое современное средство цифровой техники основывается на одном маленьком, в плане размера, изобретении — транзисторе. Принцип работы транзистора был открыт дважды, причем произошло это более 60-ти лет назад.
Интересно, но за такой большой срок не было придумано ничего более эффективного, чем маленький транзистор. Одним из «белых пятен» науки до сих пор считается его открытие, поэтому стоит уделить этому вопросу некоторое внимание. Считается, что одним из прародителей информационных технологий является украинский физик В.Е.Лашкарев.
В далеком 1956 году три американских физика получили Нобелевскую премию в области исследования полупроводников, они являются прародителями транзисторного эффекта. Имена Джона Бардина, Уильяма Шокли, Уолтера Браттейна вписаны в историю науки, но при этом мало кто знает, что еще в начале 1941 года была выпущена статья начинающего физика В.Е. Лашкарева, в котором описывался аналогичный эффект. Украинский ученый проводил различные эксперименты, в ходе которых было обнаружено явление, позже описанное американскими физиками.
Американцы назвали открытое явление  основывается на одном маленьком, в плане размера, изобретении — транзисторе. Принцип работы транзистора был открыт дважды, причем произошло это более 60-ти лет назад.

Интересно, но за такой большой срок не было придумано ничего более эффективного, чем маленький транзистор. Одним из «белых пятен» науки до сих пор считается его открытие, поэтому стоит уделить этому вопросу некоторое внимание. Считается, что одним из прародителей информационных технологий является украинский физик В.Е.Лашкарев.
В далеком 1956 году три американских физика получили Нобелевскую премию в области исследования полупроводников, они являются прародителями транзисторного эффекта. Имена Джона Бардина, Уильяма Шокли, Уолтера Браттейна вписаны в историю науки, но при этом мало кто знает, что еще в начале 1941 года была выпущена статья начинающего физика В.Е. Лашкарева, в котором описывался аналогичный эффект. Украинский ученый проводил различные эксперименты, в ходе которых было обнаружено явление, позже описанное американскими физиками.
Американцы назвали открытое явление 
p-n переход, где p означает «pozitiv», а n — «negativ», также его называют дырочным переходом. Официальная история говорит о том, что первооткрывателями транзистора были американцы, но при этом труд украинца, который был издан еще во время Великой Отечественной войны, оставался без внимания. В своей статье Лашкарев рассказывал о механизме инжекции, который является основой для полупроводниковых диодов, а также транзисторов.
Бардин и Браттейн работали над созданием точечного транзистора, который был создан на основе германия, имеющий n-тип. Первые шаги к успеху учены сделали в 1947 году, но все же, полученный прибор работал довольно неэффективно и не отличался устойчивостью. Их открытие не имело практического применения. В 1951 году Уильям Шокли изобрел более стабильный тип транзистора, состоявший из трех слоев германия, имеющих n, p, n типа. Толщина кристалла германия составляла более 1 сантиметра. Этот плоский транзистор получил название n-p-n.
Весомость и прогрессивость изобретения американцев стала очевидной, поэтому не удивительно, что они были наградены известнейшей и желанной премией для любого ученного — Нобелевской премией.
Из-за войны и нестабильного состояния в мире работы Лашкарева не были приняты во внимание, поэтому ученый остался в стороне и не попал в официальную историю науки.

Book-Science
Добавить комментарий